摘要: 本文介绍用蒙特-卡罗方法计算单能中子入射芪晶体后产生反冲质子谱的方法。由于晶体较小,为了防止绝大多数中子在一次散射后立即漏失,在计算中用了限制抽样技巧。新的方法比普通蒙特-卡罗方法准确。计算中考虑了过去被忽略的反应。